Caracterización estructural del compuesto laminar Ag2SnSe3 por microscopía electrónica y difracción de rayos-x de radiación de sincrotrón

Abstract

En el presente trabajo de investigación se estudió y caracterizó la estructura cristalina del semiconductor Ag2SnSe3 a través de la técnica de muestras policristalinas utilizando difracción de rayos-X de radiación de sincrotrón, Microscopía Electrónica de Barrido y Microscopía Electrónica de Transmisión en las modalidades de Difracción de Área Selecta (SAED), Microscopía Electrónica de Alta Resolución (HREM). El compuesto fue sintetizado por fusión directa de los elementos constituyentes de alta pureza (99.9%) y crecido por el método Bridgman- Stockbarger. El análisis por espectroscopía de rayos-X por dispersión de energía del compuesto Ag2SnSe3, se correspondió con el porcentaje atómico nominal Ag:Sn:Se 2:1:3, respectivamente. El patrón de difracción de rayos-X de polvo de radiación de sincrotrón del semiconductor Ag2SnSe3, revela que el compuesto cristaliza en un sistema monoclínico con simetría P2/m y parámetros de celda a = 7.977 Å, b = 7.912 Å, c = 13.023 Å, B= 101.734°, V = 804.79 Å3. El patrón de difracción de electrones de área selecta (SAED), indicó que el grupo puntual de simetría del semiconductor laminar Ag2SnSe3 es 2/m, tomado a lo largo de la dirección [010]. Las micrografías de alta resolución (HREM), muestran el grado de cristalinidad y la secuencia de planos interatómicos en la región observada para el compuesto Ag2SnSe3.