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dc.contributor.authorMéndez, F. J.
dc.contributor.authorSanz, O.
dc.contributor.authorMontes, M.
dc.date.accessioned2019-05-09T13:39:02Z
dc.date.available2019-05-09T13:39:02Z
dc.date.issued2017-07
dc.identifier.citationActa Microscopica Vol. 27, No.2, 2018, pp. 124-138en_US
dc.identifier.issn0798-4545
dc.identifier.urihttp://bdigital2.ula.ve:8080/xmlui/654321/1711
dc.description.abstractSe estudió la modificación del aluminio por medio de una oxidación electroquímica en ácido oxálico (1,6 M), variando algunas condiciones, como: densidad de corriente (Ia = 1-3 A/dm2), temperatura del baño electrolítico (Ta = 40-50 °C), tiempo de anodizado (ta = 40-100 min) y un tratamiento de post-anodizado (PA) a diferentes densidades de corriente (Ia = 1- 3 A/dm2) para un tiempo de post-anodizado constante (tPA = 40 min) y, variando el tiempo de tratamiento (tPA = 0-120 min) a densidad de corriente fija (Ia = 2 A/dm2). La variación de estas condiciones permitió demostrar que la formación de esta Al2O3 depende de dos procesos fundamentales. El primero, es la generación de una capa de óxido anódico seguido de su disolución dentro de los poros y en la superficie externa. La influencia de cada variable en estas dos etapas provoca la generación de capas con características específicas de textura y rugosidad. Asimismo, se observó que independientemente de la forma geométrica del substrato de aluminio se obtiene una equivalencia morfológica de esta Al2O3, además, de una tendencia en su caída de presión: MACL 1100 > MAE 40 > MAE 20 > MAE 10 > MACL 350, que depende de su distribución espacial y el número de celdas.en_US
dc.language.isoesen_US
dc.publisherComité Interamericano de Sociedades para Microscopía Electrónica - CIASEMen_US
dc.subjectÁcido oxálicoen_US
dc.subjectAnodizaciónen_US
dc.subjectAluminioen_US
dc.subjectMicroreactoresen_US
dc.subjectSustratos estructuradosen_US
dc.titleMODIFICACIÓN ELECTROQUÍMICA DE ALUMINIO EN ÁCIDO OXÁLICO COMO UNA HERRAMIENTA PARA EL DISEÑO DE MICROREACTORES BASADOS EN Al-Al2O3en_US
dc.typeArticleen_US


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